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巨磁电阻效应原理是什么?
强磁性材料在受到外加磁场作用时引起的电阻变化，称为磁电阻效应。 不论磁场与电流方向平行还是垂直，都将产生磁电阻效应。前者（平行）称为纵磁场效应，后者（垂直）称为横磁场效应。一般强磁性材料的磁电阻率（磁场引起的电阻变化与未加磁场时电阻之比）在室温下小于8％，在低温下可增加到10％以上。已实用的磁电阻材料主要有镍铁系和镍钴系磁性合金。室温下镍铁系坡莫合金的磁电阻率约1％～3％，若合金中加入铜、铬或锰元素，可使电阻率增加；镍钴系合金的电阻率较高，可达6％。与利用其他磁效应相比，利用磁电阻效应制成的换能器和传感器，其装置简单，对速度和频率不敏感。磁电阻材料已用于制造磁记录磁头、磁泡检测器和磁膜存储器的读出器等。
电阻效应?
随着金属多层膜和颗粒膜的巨磁电阻(GMR)及稀土氧化物的特大磁电阻(CMR)的发现，以研究、利用和控制自旋极化的电子输运过程为核心的磁电子学得到很大的发展。 同时用巨磁电阻材料构成磁电子学器件，在信息存储领域中获得很大的应用，如在1994年计算机硬盘中使用了巨磁电阻(GMR)效应的自旋阀结构的读出磁头，取得了1 Gb/inch的存储密度。 到1996年，存储密度已达5 Gb/inch，并计划在2000年前后实现存储密度10~20 Gb/inch。由于GMR磁头在信息存储运用方面的巨大潜力，激发了人们对各种材料的磁电阻效应进行深人广泛研究的热情，使得人们对于磁电阻效应的物理起源有更深的认识，促进了磁电阻效应的广泛应用。所谓磁电阻效应，是指对通电的金属或半导体施加磁场作用时会引起电阻值的变化。其全称是磁致电阻变化效应。
电阻效应?
电阻应变效应是指金属导体的电阻在导体受力产生变形（伸长或缩短）时发生变化的物理现象。当金属电阻丝受到轴向拉力时，其长度增加而横截面变小，引起电阻增加。 反之，当它受到轴向压力时则导致电阻减小。电阻应变计与弹性敏感元件、补偿电阻一起可构成多种用途的电阻应变式传感器。
什么是巨磁电阻?
巨磁电阻效应可解释为磁性材料电阻率随外界磁场显著增大。一般通过设置惠斯通电桥的方式，在两个桥臂上会固定电阻，另外两个桥臂为固定电阻(和，或补偿电阻…）。 在易磁化轴上磁场变化时，GMR电阻变化，桥式电路输出明显变化。 基于此，可以实现磁场检测。 主要应用领域： 1. 硬盘磁头。采用GMR做为磁头，读取硬盘数据。 2. 电流传感器。采用梯度芯片方式，读取磁场，可做成开环电流传感器，闭环电流传感器。 3. 地磁停车系统。基于磁场检测，实现停车位检测。也有用AMR，比如honeywell hmc5883。 4. 角度传感器。GMR是平面磁场方向，所以可以在平面内形成两轴，x y分别检测正交方向磁场，结算角度。 5. 金融磁头类。 宜昌市瑞磁科技有限公司是一家电流传感器专业研发，制造企业。 目前产品线包含高精度磁通门电流传感器，TypeB.型漏电流传感器，霍尔电流传感器，电压传感器。 产品覆盖领域包括电动汽车电流检测，模式二充电线漏电流检测，新能源领域漏电检测，直流屏数据中心电流检测漏电流检测。 电梯物联网电流传感器销量遥遥领先。
巨磁电阻效应的公式?
巨磁阻效应是指磁性材料的电阻率在有外磁场作用时较之无外磁场作用时存在巨大变化的现象。巨磁阻是一种量子力学效应，磁阻效应的一种，产生于层状的磁性薄膜结构，可以在磁性材料和非磁性材料相间的薄膜层结构中观察到，这种结构是由铁磁材料和非铁磁材料薄层交替叠合而成。一般将其定义为GMR＝其中（H）为在磁场H作用下材料的电阻率（0）指无外磁场作用下材料的电阻率。
巨磁阻传感器灵敏度?
1、巨磁阻传感器： 灵敏度3.3mV/V·Gs～4.0 mV/V·Gs；线性范围：–8.0Gs～+8.0Gs；饱和磁场15Gs。 2、传感器工作电源：4V～15V连续可调。 3、传感器测量信号4位半LED显示。 4、亥姆霍兹线圈： 线圈有效半径110mm；单个线圈匝数500匝；二线圈中心间距110mm；温升不大于10℃的zui大负荷电流不小于0.。 5、内置恒流源部分: 输出电流：0～0.，zui大电压 24V；3位半LED显示，zui小分辨率 1mA。